RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,574.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,858.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,574.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
607
3673
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link