RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
74
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2968
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link