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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
74
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
32
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2968
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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