RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
74
En -208% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2865
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link