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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
74
En -208% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2865
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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