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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
比較する
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
総合得点
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,201.1
12.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
74
周辺 -208% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
74
24
読み出し速度、GB/s
4,178.4
16.2
書き込み速度、GB/秒
2,201.1
12.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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