RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En -147% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3663
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link