RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
74
En -124% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3141
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link