RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
74
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2958
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link