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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
74
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
39
读取速度,GB/s
4,178.4
15.7
写入速度,GB/s
2,201.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2958
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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