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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
42
读取速度,GB/s
10.6
13.1
写入速度,GB/s
6.8
11.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2525
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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