RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
42
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2525
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link