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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
42
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2525
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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