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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
74
En -196% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2290
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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