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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
13.7
写入速度,GB/s
2,201.1
8.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2290
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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