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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
74
En -139% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2605
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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