RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2605
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link