RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3515
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link