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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En -147% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2629
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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