RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
74
En -222% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2936
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link