RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
74
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2349
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link