RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2349
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link