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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
74
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2078
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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