Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

総合得点

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

総合得点

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

バグを報告する

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

55 74

周辺 -35% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

9.3 4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.4 2,201.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

74 55
読み出し速度、GB/s

4,178.4 9.3
書き込み速度、GB/秒

2,201.1 7.4
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

508 2078

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

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Kingston XJ69DF-HYA 8GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB

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Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

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Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

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