RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
74
En -111% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2155
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link