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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
74
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
35
读取速度,GB/s
4,178.4
13.5
写入速度,GB/s
2,201.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2155
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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