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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
73
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2237
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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