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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
73
75
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
75
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1578
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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