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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
73
En -248% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3263
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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