RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
73
Por volta de -248% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
14.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3263
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link