RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
73
En -204% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2618
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link