RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2918
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link