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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
3,510.5
16.3
写入速度,GB/s
1,423.3
11.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2918
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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