RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3711
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link