RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
73
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
17.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3711
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link