RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3531
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link