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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3266
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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