RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
73
92
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
92
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1640
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link