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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
69
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3446
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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