RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3446
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link