RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
69
En -306% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
17
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3623
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link