RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
69
Por volta de -306% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
17
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
16.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3623
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link