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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
69
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
44
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2803
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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