RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
69
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2803
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link