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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
69
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2588
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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