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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
3,325.1
14.8
写入速度,GB/s
1,441.2
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2588
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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