RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2588
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link