RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2588
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link