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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
69
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3073
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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