RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
69
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3073
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link