RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
69
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3073
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link