RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3264
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link